Рис
. 4.
Изменение энергии ионов
,
бомбар
-
дирующих подложку из лазерной плазмы
(
сплошная линия
),
и ионов лазерной плаз
-
мы
(
штриховая
); p
асчет проведен для тре
-
угольного импульса с амплитудой
40
кВ
Рис
. 5.
Рассчитанное энер
-
гетическое
распределение
ионов
,
имплантированных в
подложку под воздействием
высоковольтного импульса
треугольной формы
сле лазерного
.
На временной зависимости поступающего на подложку
ионного тока можно выделить три характерных участка
:
кратковремен
-
ный
(
продолжительностью
∼
0
,
2
мкс
)
всплеск
,
обусловленный мгно
-
венным включением высоковольтного импульса
,
медленное нараста
-
ние
(
на временном интервале от
1,6
мкс до
4
мкс
)
и спад
(
на интервале
от
4
мкс до
7
мкс
)
на заключительном этапе разлета плазменного факела
(
рис
. 6).
В данном случае ясно видно
,
что в начале процесса в подлож
-
ку могут имплантироваться ионы с повышенной средней энергией
,
а в
конце
—
с пониженной
(
рис
. 7).
Первые высокоэнергичные ионы доле
-
тают до подложки через
∼
0
,
3
мкс после включения высоковольтного
импульса
.
Рис
. 6.
Моделирование динамики ионного тока и дозы имплантации в случае
применения прямоугольного высоковольтного импульса
,
включаемого через
1
мкс после лазерного
34 ISSN 0236-3941.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. “
Машиностроение
”. 2004.
№
3
