Рис. 3. Рис. 3. Диаграмма вдавливания сферического индентора в поверхность
МНК образца в направлениях <110> (
1
) и <100>, <010> (
2
)
материала, %, поформулам:
K
упр
=
h
упр
h
Σ
·
100
, K
пл
=
h
о
h
Σ
·
100
,
(2)
где
h
упр
— глубина упругого восстановления отпечатка на кривой раз-
гружения, мкм;
h
Σ
— суммарная глубина внедрения индентора под
нагрузкой, мкм;
h
о
— остаточная глубина лунки после снятия нагруз-
ки, мкм.
Как видноиз рис. 3, суммарная и остаточная глубины внедрения
индентора в направлениях <100> и <010> больше, чем в направлении
<110>. В направлении <110> доля упругого восстановления глубины
отпечатка больше, чем в направлениях <100> и <010>. Полученные
результаты объясняются тем, что исследуемый МНК материал обла-
дает также анизотропией упругих свойств, при этом в направлениях
<100> и <010> модуль упругости составляет
E
= 1
,
4
·
10
5
МПа, в
направлении <110> —
Е
= 2
,
2
·
10
5
МПа.
Изменение коэффициентов
К
упр
и
К
пл
в зависимости от кристал-
лографической ориентации монокристалла иллюстрируют диаграммы
(рис. 4). Разброс значений при этом составил 15. . . 42% для
К
упр
и
13. . . 48% для
К
пл
.
Рис. 4. Диаграмма изменения коэффициентов
K
упр
(
а
) и
K
пл
(
б
)
ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение”. 2009. № 1 79
