Рис
. 8.
Вольтамперные и управляющие характеристики микромодульного се
-
точного ключевого элемента
:
T
к
=
1450 K;
T
a
=
900 K;
p
Cs
=
0
,
92
Па
микромодульного СКЭ
.
Типичные экспериментальные ВАХ и харак
-
теристики управления микромодульным СКЭ приведены на рис
. 8.
Микромодульная конструкция СКЭ позволяет на основе пленочной
технологии реализовать низковольтный
(
до
10
В
)
сильноточный пре
-
образователь тока
.
Исследование электрической прочности вентилей к обратно
-
му дуговому пробою
.
Обеспечение электрической прочности МЭЗ
термоэмиссионных диодов при повышенных температурах электро
-
дов
—
актуальная проблема в решении задачи надежного функциони
-
рования системы преобразования тока
.
Экспериментальное исследо
-
вание электропрочностных характеристик и проводящего состояния
высоковольтного вентиля было проведено на модели
,
схема которой
приведена на рис
. 9 [14].
В процессе исследований были испытаны
вентили со следующим парами электродов
(
эмиттер указан первым
):
коррозионно
-
стойкая сталь
–
коррозионно
-
стойкая сталь
;
коррозионно
-
стойкая сталь
–
тантал
;
молибден
–
молибден
;
молибден
–
коррозионно
-
стойкая сталь
.
Диапазон изменения теплофизических параметров состояния сле
-
дующий
:
давление пара цезия
— 1
. . .
50
Па
,
бария
— 0
,
06
. . .
0
,
1
Па
;
температура пара
(“
холодного
”
электрода
)
T
пк
=
580
. . .
1050
К
.
Характер и вид зависимостей напряжения пробоя МЭЗ в зависи
-
мости от давления пара цезия и температуры пара
U
npo
б
(
p
Cs
,
T
пк
)
при
-
ведены на рис
. 10, [14–19].
Экспериментально полученный результат
,
свидетельствующий об определяющей роли транспортных и теплофи
-
ISSN 0236-3941.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Машиностроение
". 2003.
№
4 63
