эксперименты с СКЭ с объемной сеткой показали
,
что в области
V
СКЭ
—
это источник гармонических колебаний
,
а в области
V I
—
источник
релаксационных колебаний
[11, 12].
Частоты колебаний составили от
единиц кГц до
100
кГц
.
Следует отметить
,
что для обеспечения режима
колебаний в СКЭ необходимо создать положительную обратную связь
по напряжению
,
охватывающую не менее двух источников изменения
проводимости вентиля
.
В качестве источников управления примени
-
тельно к цезий
-
бариевым СКЭ могут выступать
:
внутренние факторы
—
эмиссионная способность пленочного тер
-
мокатода
,
соотношение скоростей ионизации и рекомбинации
,
подвиж
-
ность заряженных частиц в МЭЗ
,
сечение прохождения тока
;
внешние факторы
—
тепловой режим прибора
,
геометрия МЭЗ
,
давление паров наполнителя
(
цезия
,
бария
),
величина и направление
внешнего магнитного поля
,
управляющий разряд в МЭЗ
.
В целом
,
результаты экспериментов свидетельствуют о возможно
-
сти использования СКЭ с объемной сеткой в качестве источника коле
-
баний в электрической цепи
.
Микромодульный СКЭ
.
Одним из способов повышения эффек
-
тивности управления СКЭ благодаря вспомогательному разряду явля
-
ется организация вентиля с микромодульной структурой МЭЗ
[13].
Идея использования вспомогательного разряда связана с уменьшением
внутренних потерь напряжения на низковольтной дуге
:
необходимая
энергия для ионизации сообщается малому количеству электронов
,
источником которых служит вспомогательный эмиттер
,
а электроны
основного эмиттера в ионизации не участвуют
.
Полная управляемость
такого прибора обеспечивается тем
,
что плазма в нем образуется лишь
при включении цепи вспомогательного разряда
(
т
.
е
.
при подключе
-
нии вспомогательного эмиттера
).
Суть организации микромодульной
структуры МЭЗ заключается в послойном расположении между като
-
дом и анодом СКЭ вспомогательных электродов и изоляторов
,
которые
имеют совмещенные полости
,
образованные отверстиями в электродах
и изоляторах
.
Внутри этих полостей и протекает рабочий процесс
.
В
качестве электродов использовали пластинки из вольфрама
,
молибдена
и платины толщиной
20
. . .
25
мкм
,
а в качестве изоляторов
—
синтети
-
ческую слюду толщиной
15
мкм
,
при этом на электроды дополнительно
наносили оксид алюминия слоем толщиной
15
. . .
100
мкм
(
рис
. 7).
В ре
-
зультате суммарная величина МЭЗ в таком СКЭ достигала
0
,
3
. . .
1
,
2
мм
при наборе в четырех
-
пяти электродах
,
и таким образом в нем реализо
-
вался как плазменный
,
так и вакуумный режим работы
.
Одновременно
такой подход позволил отказаться от бинарного наполнения МЭЗ и
перейти к использованию только паров цезия
,
что существенно улуч
-
ISSN 0236-3941.
Вестник МГТУ им
.
Н
.
Э
.
Баумана
.
Сер
. "
Машиностроение
". 2003.
№
4 61
