Фазовый анализ и оптические функции композитов на базе полиэтилена низкой плотности…
ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Машиностроение. 2017. № 3
97
Рис. 5.
Частотные зависимости коэффициента отражения
R
композитов ПЭНП +
+ х. % об. Кр (
а
) и нанокомпозитов ПЭНП + х. % об. Кр + 1 % Al
2
O
3
(
б
)
(
1
–
5
— см. рис. 3)
Для определения характеристической функции потерь энергии электронов
использовали выражение
2 2
1 Im
.
i
r
i
ε
−
=
ε ε + ε
Спектральная характеристика мнимой части обратной величины ком-
плексной диэлектрической проницаемости
(
)
1
Im(
)
−
−ε
приведена на рис. 6.
Рис. 6.
Частотные зависимости спектральной характеристики мнимой части обратной
величины комплексной диэлектрической проницаемости композитов ПЭНП +
+ х. % об. Кр (
а
) и нанокомпозитов ПЭНП + х. % об. Кр + 1 % Al
2
O
3
(
б
)
(
1
–
5
— см. рис. 3)
Исследовались реальные и мнимые части оптической электропроводности
композиционных материалов с наполнителями биологического происхождения.
Реальная и мнимая части оптической электропроводности рассчитывались по
формулам
4
i
r
ωε σ =
π
и
.
4
r
i
ωε
σ = −
π
Зависимости
( )
r
E
σ
и
( )
i
E
σ
приведены на рис. 7. Видно, что частотные за-
висимости
σ
i
и
σ
r
для композитов ПЭНП + х. % об. Кр и нанокомпозитов имеют
аналогичный характер, т. е. в частотном диапазоне 0,025…1 кГц практически не
изменяются, а в частотном диапазоне 10…1000 кГц сильно увеличиваются.
В композите 97 % об. ПЭНП + 3 % об. Кр σ
i
и σ
r
увеличиваются от 5,9 до 645 и от